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IKW40N65ES5XKSA1

IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 79 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.

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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW40N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150144a968a5823 Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKW40N65ES5_DS_v02_02_EN-1226792.pdf IGBTs INDUSTRY 14
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0001270666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
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Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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