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IKW40N65ES5XKSA1

IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1347 Stücke:
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Technische Details IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 79A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.21 EUR
30+3.72 EUR
60+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.76 EUR
29+5.64 EUR
50+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.98 EUR
29+5.9 EUR
50+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1437 Stücke:
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22+8.14 EUR
50+7.19 EUR
200+6.02 EUR
960+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 321 Stücke:
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1+10.12 EUR
10+6.15 EUR
100+4.96 EUR
480+3.58 EUR
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001270666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.65 EUR
43+5.52 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IKW40N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 175 Stücke:
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IKW40N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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22+7.76 EUR
29+5.64 EUR
50+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IKW40N65ES5XKSA1 infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf
IKW40N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+7.98 EUR
29+5.9 EUR
50+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N65ES5XKSA1 infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf
IKW40N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1437 Stücke:
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19+9.41 EUR
22+8.14 EUR
50+7.19 EUR
200+6.02 EUR
960+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IGBTs INDUSTRY
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1+10.12 EUR
10+6.15 EUR
100+4.96 EUR
480+3.58 EUR
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IKW40N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.65 EUR
43+5.52 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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