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IKW40N65ES5XKSA1

IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 79A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150144a968a5823 Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw40n65es5_ds_en.pdf IGBTs INDUSTRY
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001270666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 153ns
Gate charge: 95nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
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IKW40N65ES5XKSA1 infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf
IKW40N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N65ES5XKSA1 Infineon-IKW40N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150144a968a5823
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Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
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Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 153ns
Gate charge: 95nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
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