IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: -, Verlustleistung: 230.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 76A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote IKW40N65ET7XKSA1 nach Preis ab 3.92 EUR bis 13.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
 IGBT with Anti-parallel Diode |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package |
auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ET7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - Verlustleistung: 230.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 76A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW40N65ET7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT with Anti-parallel Diode
IGBT with Anti-parallel Diode
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 9.41 EUR |
| 22+ | 7.81 EUR |
| 50+ | 7.21 EUR |
| 100+ | 6.02 EUR |
| 200+ | 5.57 EUR |
| IKW40N65ET7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.84 EUR |
| 10+ | 5.87 EUR |
| 100+ | 4.36 EUR |
| 480+ | 3.92 EUR |
| IKW40N65ET7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Verlustleistung: 230.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 76A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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| 19+ | 13.22 EUR |
| 34+ | 6.91 EUR |
| 100+ | 5.08 EUR |