IKW40N65F5FKSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
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Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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| 46+ | 5.13 EUR |
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Technische Details IKW40N65F5FKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IKW40N65F5FKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon |
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5 Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
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IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IKW40N65F5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5 Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5 Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори
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| IKW40N65F5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
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| IKW40N65F5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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| IKW40N65F5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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| IKW40N65F5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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