IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 448ns
Gate charge: 193nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 60ns
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Technische Details IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ 5, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 40A, Power dissipation: 115W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 120A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-off time: 448ns, Gate charge: 193nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 60ns.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW40N65WR5 | Infineon technologies |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW40N65WR5 |
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