IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 4.62 EUR |
| 27+ | 3.17 EUR |
| 32+ | 2.69 EUR |
| 120+ | 2.43 EUR |
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Technische Details IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 159.6W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 249nC, Kind of package: tube, Turn-off time: 233ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 61A, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 150A, Turn-on time: 50ns.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW50N60DTP | Infineon |
auf Bestellung 15600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW50N60DTP |
Hersteller: Infineon
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)