IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Collector current: 61A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 159.6W
Gate charge: 249nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 50ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
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Technische Details IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3, Collector current: 61A, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 600V, Power dissipation: 159.6W, Gate charge: 249nC, Technology: TRENCHSTOP™, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 150A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 50ns, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Turn-off time: 233ns, Gate-emitter voltage: ±20V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW50N60DTP | Infineon |
auf Bestellung 15600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW50N60DTP |
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