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IKW50N60H3FKSA1

IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns, Switching Energy: 2.36mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 315 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 333 W.

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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.61 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
120+4.76 EUR
480+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
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100+4.71 EUR
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IKW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a47934b1e2bea Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
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240+4.65 EUR
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 202 Stücke:
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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