IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 7.09 EUR |
| 31+ | 5.75 EUR |
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Technische Details IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns, Switching Energy: 2.36mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 315 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 333 W.
Weitere Produktangebote IKW50N60H3FKSA1 nach Preis ab 4.39 EUR bis 18.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Manufacturer series: H3 Gate charge: 315nC |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW50N60H3FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 7.09 EUR |
| 31+ | 5.63 EUR |
| 120+ | 4.66 EUR |
| 510+ | 4.39 EUR |
| IKW50N60H3FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.52 EUR |
| 30+ | 5.97 EUR |
| 120+ | 4.96 EUR |
| 510+ | 4.84 EUR |
| IKW50N60H3FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.52 EUR |
| 30+ | 5.84 EUR |
| 120+ | 4.78 EUR |
| 510+ | 4.58 EUR |
| IKW50N60H3FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.17 EUR |
| 25+ | 9.65 EUR |
| 100+ | 7.45 EUR |
| IKW50N60H3FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)