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IKW50N60TFKSA1

IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw50n60t-ds-v02_06-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 143 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.

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IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n60t-ds-v02_06-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
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IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
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IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IKW50N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4288ce93e21 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
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IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4877ikw50n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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