IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 143 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.
Weitere Produktangebote IKW50N60TFKSA1 nach Preis ab 4.4 EUR bis 15.7 EUR
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 10565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A |
auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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