IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
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| 80+ | 1.82 EUR |
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Technische Details IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 290 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 273 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote IKW50N65ET7XKSA1 nach Preis ab 1.6 EUR bis 9.15 EUR
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IKW50N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 273 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 Produktcode: 178408
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |