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IKW50N65ET7XKSA1

IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies


infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 290 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 273 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8 Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Hersteller : INFINEON 3190609.pdf Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IKW50N65ET7XKSA1
Produktcode: 178408
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