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IKW50N65ET7XKSA1

Produktcode: 178408
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 INFINEON 3190609.pdf Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 251 Stücke:
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17+14.92 EUR
26+9.03 EUR
100+6.49 EUR
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IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 251 Stücke:
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17+14.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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