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IKW50N65ET7XKSA1

Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8
Produktcode: 178408
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
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31+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.63 EUR
41+4.12 EUR
42+3.92 EUR
50+3.72 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.35 EUR
37+4.66 EUR
38+4.51 EUR
100+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.35 EUR
37+4.56 EUR
38+4.34 EUR
100+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8 Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.08 EUR
30+6.26 EUR
120+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.85 EUR
10+7.77 EUR
100+5.71 EUR
480+5.09 EUR
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IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 INFINEON 3190609.pdf Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IKW50N65ET7XKSA1 infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IKW50N65ET7XKSA1 infineonikw50n65et7datasheetv0110en.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.63 EUR
41+4.12 EUR
42+3.92 EUR
50+3.72 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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37+4.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 101 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
24+7.35 EUR
37+4.56 EUR
38+4.34 EUR
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IKW50N65ET7XKSA1 Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Qualification: AEC-Q101
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IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
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AnzahlPrivatkunde
1+11.85 EUR
10+7.77 EUR
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IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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