IKW50N65F5FKSA1
Produktcode: 162192
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: F5 |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 305 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 120 nC Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW50N65F5FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.72 EUR |
| 17+ | 4.45 EUR |
| 21+ | 3.53 EUR |
| 23+ | 3.15 EUR |
| 30+ | 2.93 EUR |
| 120+ | 2.43 EUR |
| IKW50N65F5FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 305 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 305 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.49 EUR |
| 30+ | 3.59 EUR |
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.69 EUR |
| 10+ | 5.68 EUR |
| 100+ | 4.17 EUR |
| 480+ | 3.73 EUR |
| 1200+ | 3.29 EUR |
| IKW50N65F5FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




