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IKW50N65RH5XKSA1

IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

infineonikw50n65rh5datasheetv0110en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns, Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 305 W.

Weitere Produktangebote IKW50N65RH5XKSA1 nach Preis ab 5.62 EUR bis 16.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies infineonikw50n65rh5datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies infineonikw50n65rh5datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies infineonikw50n65rh5datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc27f90f31a6 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
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IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 INFINEON 3177189.pdf Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
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1+14.08 EUR
10+8.85 EUR
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480+6.12 EUR
1200+5.74 EUR
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Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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16+16.02 EUR
28+8.54 EUR
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