IKW75N65EH5 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 11.7 EUR |
| 25+ | 11.04 EUR |
| 50+ | 10.39 EUR |
| 100+ | 9.82 EUR |
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Technische Details IKW75N65EH5 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247, Type of transistor: IGBT, Technology: Trench, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 90A, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT.
Weitere Produktangebote IKW75N65EH5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW75N65EH5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247 Type of transistor: IGBT Technology: Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 90A Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT |
auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW75N65EH5 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 90A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 90A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
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