Technische Details IKW75N65EH5 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 90A, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Technology: Trench.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW75N65EH5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 90A Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Technology: Trench |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW75N65EH5 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 90A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 90A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Trench
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