IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
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Technische Details IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns, Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Weitere Produktangebote IKW75N65RH5XKSA1 nach Preis ab 6.45 EUR bis 15.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 395W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 168nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW75N65RH5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 15.59 EUR |
| 10+ | 11.02 EUR |
| 100+ | 9.19 EUR |
| 480+ | 8.18 EUR |
| 1200+ | 7.66 EUR |
| IKW75N65RH5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
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Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| IKW75N65RH5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 240+ | 6.45 EUR |