IKWH100N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 15.47 EUR |
| 10+ | 14.94 EUR |
| 25+ | 9.29 EUR |
| 100+ | 8.61 EUR |
| 240+ | 8.55 EUR |
| 480+ | 7.69 EUR |
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Technische Details IKWH100N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO247-3-32, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 106 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns, Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 199 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 140 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Power - Max: 427 W.
Weitere Produktangebote IKWH100N65EH7XKSA1 nach Preis ab 9.65 EUR bis 16.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKWH100N65EH7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 106 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 199 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 427 W |
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IKWH100N65EH7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKWH100N65EH7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W |
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