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IKY150N65EH7XKSA1

IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
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Technische Details IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO247-4-2, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/343ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 300 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 621 W.

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IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-2
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/343ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 621 W
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