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IKZ75N65EL5 Infineon technologies

Hersteller: Infineon technologies

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Technische Details IKZ75N65EL5 Infineon technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ 5, Case: TO247-4, Mounting: THT, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 300A, Turn-on time: 143ns, Turn-off time: 325ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Collector-emitter voltage: 650V, Power dissipation: 268W, Gate charge: 436nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IKZ75N65EL5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 143ns Turn-off time: 325ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Collector-emitter voltage: 650V Power dissipation: 268W Gate charge: 436nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKZ75N65EL5XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 268W
Gate charge: 436nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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