IKZA100N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 13.57 EUR |
| 30+ | 7.95 EUR |
| 120+ | 6.72 EUR |
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Technische Details IKZA100N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns, Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 207 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 140 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Power - Max: 429 W.
Weitere Produktangebote IKZA100N65EH7XKSA1 nach Preis ab 6.58 EUR bis 13.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IKZA100N65EH7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKZA100N65EH7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKZA100N65EH7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W |
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