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IKZA50N120CH7XKSA1

IKZA50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IKZA50N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362540.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
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Technische Details IKZA50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns, Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off), Gate Charge: 372 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 398 W.

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IKZA50N120CH7XKSA1 IKZA50N120CH7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKZA50N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a1232d2d59 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
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IKZA50N120CH7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikza50n120ch7-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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