IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 10.51 EUR |
| 10+ | 10.37 EUR |
| 25+ | 6.64 EUR |
| 100+ | 5.77 EUR |
| 240+ | 5.74 EUR |
| 480+ | 5.21 EUR |
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Technische Details IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns, Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 103 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote IKZA50N65EH7XKSA1 nach Preis ab 5.40 EUR bis 11.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IKZA50N65EH7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 103 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 250 W |
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IKZA50N65EH7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKZA50N65EH7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
INDUSTRY 14 |
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