Technische Details IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns, Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 103 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote IKZA50N65EH7XKSA1 nach Preis ab 5.11 EUR bis 14.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 103 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 250 W |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKZA50N65EH7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKZA50N65EH7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 5.3 EUR |
| IKZA50N65EH7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.19 EUR |
| 30+ | 6.94 EUR |
| IKZA50N65EH7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.45 EUR |
| 10+ | 8.82 EUR |
| 100+ | 6.5 EUR |
| 480+ | 5.76 EUR |
| 1200+ | 5.11 EUR |
| IKZA50N65EH7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 14.92 EUR |
| 27+ | 8.6 EUR |