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IKZA75N120CH7XKSA1

IKZA75N120CH7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IKZA75N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362266.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
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Technische Details IKZA75N120CH7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns, Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off), Gate Charge: 550 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 109 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 549 W.

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IKZA75N120CH7XKSA1 IKZA75N120CH7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKZA75N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a12c9a2d5c Description: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
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IKZA75N120CH7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikza75n120ch7-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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