IKZA75N120CH7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.23 EUR |
| 30+ | 11.32 EUR |
| 120+ | 9.57 EUR |
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Technische Details IKZA75N120CH7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns, Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off), Gate Charge: 550 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 109 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 549 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IKZA75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKZA75N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 109A; 549W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 109A Power dissipation: 549W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKZA75N120CH7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
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| IKZA75N120CH7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 109A; 549W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 109A
Power dissipation: 549W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 109A; 549W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 109A
Power dissipation: 549W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
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