IM12S60EA2XKMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 60.39 EUR |
| 10+ | 43.31 EUR |
| 100+ | 39.95 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IM12S60EA2XKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IM12S60EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.083 ohm, tariffCode: 85423990, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IM12S60EA2XKMA1 nach Preis ab 47.26 EUR bis 68.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IM12S60EA2XKMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IM12S60EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.083 ohmtariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| IM12S60EA2XKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET IPM 1.2KV 25A 24-PWRDIP Packaging: Tube Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm) Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 2500Vrms Current: 25 A Voltage: 1.2 kV |
auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||
 |
IM12S60EA2XKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IPM MOSFET 1200V Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |