IM12S90EA2XKMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 70.08 EUR |
| 10+ | 53.74 EUR |
| 100+ | 46.22 EUR |
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Technische Details IM12S90EA2XKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IM12S90EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohm, tariffCode: 85423990, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, Verlustleistung: 114W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.
Weitere Produktangebote IM12S90EA2XKMA1 nach Preis ab 41.07 EUR bis 73.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IM12S90EA2XKMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IM12S90EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohmtariffCode: 85423990 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 525mV MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IM12S90EA2XKMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET IPM 1.2KV 17.6A 24-PWRDIP Packaging: Tube Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm) Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 2500Vrms Current: 17.6 A Voltage: 1.2 kV |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IM12S90EA2XKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IM12S90EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: INFINEON - IM12S90EA2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Sechsfach n-Kanal, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohm
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Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Maxi CoolSiC Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 73.4 EUR |
| 5+ | 58.26 EUR |
| 10+ | 44.66 EUR |
| 50+ | 42.86 EUR |
| 100+ | 41.07 EUR |
| IM12S90EA2XKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET IPM 1.2KV 17.6A 24-PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 17.6 A
Voltage: 1.2 kV
Description: MOSFET IPM 1.2KV 17.6A 24-PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 17.6 A
Voltage: 1.2 kV
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 71.79 EUR |
| 14+ | 51.66 EUR |
| 112+ | 48.48 EUR |