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IMBF170R650M1XTMA1

IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBF170R650M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c75bb1ad6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 88W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.526ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IMBF170R650M1XTMA1 nach Preis ab 4.52 EUR bis 13.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBF170R650M1XTMA1 IMBF170R650M1XTMA1 INFINEON 3154662.pdf Description: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 88W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.526ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.83 EUR
500+5.72 EUR
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IMBF170R650M1XTMA1 IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies infineon-imbf170r650m1-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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IMBF170R650M1XTMA1 IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBF170R650M1_DataSheet_v02_03_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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IMBF170R650M1XTMA1 IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBF170R650M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c75bb1ad6 Description: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
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IMBF170R650M1XTMA1 IMBF170R650M1XTMA1 INFINEON 3154662.pdf Description: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IMBF170R650M1XTMA1 IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies infineon-imbf170r650m1-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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IMBF170R650M1XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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IMBF170R650M1XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
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2+11.22 EUR
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IMBF170R650M1XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.74 EUR
27+8.72 EUR
100+5.83 EUR
500+5.72 EUR
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IMBF170R650M1XTMA1 infineon-imbf170r650m1-datasheet-v02_03-en.pdf
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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13+13.9 EUR
18+9.98 EUR
50+8.69 EUR
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