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IMBG120R026M2HXTMA1

IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg120r026m2h-datasheet-v01_30-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 335W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IMBG120R026M2HXTMA1 nach Preis ab 9.42 EUR bis 29.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r026m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R026M2H_DataSheet_v01_20_EN-3516269.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
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IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 INFINEON 4410320.pdf Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r026m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
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IMBG120R026M2HXTMA1 IMBG120R026M2HXTMA1 INFINEON 4410320.pdf Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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IMBG120R026M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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9+29.71 EUR
10+23.81 EUR
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50+18.44 EUR
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