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IMBG120R350M1HXTMA1

IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r350m1hdatasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IMBG120R350M1HXTMA1 nach Preis ab 4.22 EUR bis 12.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON 3159572.pdf Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.36 EUR
500+4.45 EUR
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IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r350m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7 EUR
50+6.72 EUR
200+6.56 EUR
500+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R350M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ed11513272 Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.45 EUR
10+6.28 EUR
100+4.49 EUR
500+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 INFINEON 3159572.pdf Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.75 EUR
29+8.08 EUR
100+5.36 EUR
500+4.45 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R350M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 1253 Stücke:
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1+12.07 EUR
10+7.91 EUR
100+5.82 EUR
500+5.18 EUR
1000+4.58 EUR
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IMBG120R350M1HXTMA1 3159572.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IMBG120R350M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7 EUR
50+6.72 EUR
200+6.56 EUR
500+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R350M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ed11513272
IMBG120R350M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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500+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IMBG120R350M1HXTMA1 3159572.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.75 EUR
29+8.08 EUR
100+5.36 EUR
500+4.45 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon_IMBG120R350M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IMBG120R350M1HXTMA1
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SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.07 EUR
10+7.91 EUR
100+5.82 EUR
500+5.18 EUR
1000+4.58 EUR
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