IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 4.41 EUR |
| 500+ | 4.14 EUR |
| 1000+ | 3.82 EUR |
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Technische Details IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 65W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm.
Weitere Produktangebote IMBG120R350M1HXTMA1 nach Preis ab 4.58 EUR bis 16.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package |
auf Bestellung 1206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 56 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IMBG120R350M1HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 9.67 EUR |
| 27+ | 6.52 EUR |
| 100+ | 5.27 EUR |
| IMBG120R350M1HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 9.67 EUR |
| 27+ | 6.38 EUR |
| 100+ | 5.08 EUR |
| IMBG120R350M1HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.07 EUR |
| 10+ | 7.91 EUR |
| 100+ | 5.82 EUR |
| 500+ | 5.18 EUR |
| 1000+ | 4.58 EUR |
| IMBG120R350M1HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 16.27 EUR |
| 24+ | 9.91 EUR |
| IMBG120R350M1HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)