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IMBG65R026M2HXTMA1

IMBG65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMBG65R026M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
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Technische Details IMBG65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 263W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG65R026M2HXTMA1 IMBG65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG65R026M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b0019387f54b2542b0 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
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IMBG65R026M2HXTMA1 IMBG65R026M2HXTMA1 INFINEON 4470070.pdf Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Description: SILICON CARBIDE MOSFET
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Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
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