Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R039M1HXTMA1
IMBG65R039M1HXTMA1

IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg65r039m1h-datasheet-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.2 EUR
41+3.99 EUR
100+3.76 EUR
250+3.56 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 211W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IMBG65R039M1HXTMA1 nach Preis ab 3.72 EUR bis 33.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r039m1h-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.3 EUR
41+4.13 EUR
100+3.97 EUR
250+3.86 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r039m1h-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+10.41 EUR
100+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r039m1h-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+10.41 EUR
100+9.75 EUR
500+9.03 EUR
1000+8.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 INFINEON Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.16 EUR
50+26.91 EUR
100+24.61 EUR
250+24.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 INFINEON Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+33.39 EUR
10+29.16 EUR
50+26.91 EUR
100+24.61 EUR
250+24.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R039M1HXTMA1 infineon-imbg65r039m1h-datasheet-v02_01-en.pdf
IMBG65R039M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.3 EUR
41+4.13 EUR
100+3.97 EUR
250+3.86 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R039M1HXTMA1 infineon-imbg65r039m1h-datasheet-v02_01-en.pdf
IMBG65R039M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+10.41 EUR
100+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R039M1HXTMA1 infineon-imbg65r039m1h-datasheet-v02_01-en.pdf
IMBG65R039M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+10.41 EUR
100+9.75 EUR
500+9.03 EUR
1000+8.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R039M1HXTMA1
IMBG65R039M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+29.16 EUR
50+26.91 EUR
100+24.61 EUR
250+24.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R039M1HXTMA1
IMBG65R039M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+33.39 EUR
10+29.16 EUR
50+26.91 EUR
100+24.61 EUR
250+24.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH