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IMBG65R083M1HXTMA1

IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg65r083m1hdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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Technische Details IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 INFINEON 3671354.pdf Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
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MSL: -
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Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
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Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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