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IMBG65R163M1HXTMA1

IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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92+1.82 EUR
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Technische Details IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 85W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IMBG65R163M1HXTMA1 nach Preis ab 1.73 EUR bis 18.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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92+1.87 EUR
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IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 10439 Stücke:
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158+4.13 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.56 EUR
10000+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
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21+8.59 EUR
32+5.47 EUR
100+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.59 EUR
32+5.36 EUR
100+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG65R163M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0cee21653 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
auf Bestellung 33 Stücke:
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2+10.83 EUR
10+7.24 EUR
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IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.79 EUR
15+15.95 EUR
17+13.3 EUR
50+12.16 EUR
100+11.01 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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14+18.79 EUR
15+15.95 EUR
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100+11.01 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+1.87 EUR
93+1.81 EUR
100+1.76 EUR
250+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 10439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+4.13 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.56 EUR
10000+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.59 EUR
32+5.47 EUR
100+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.59 EUR
32+5.36 EUR
100+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IMBG65R163M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+10.83 EUR
10+7.24 EUR
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IMBG65R163M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 928 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
14+18.79 EUR
15+15.95 EUR
17+13.3 EUR
50+12.16 EUR
100+11.01 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IMBG65R163M1HXTMA1 3671352.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 928 Stücke:
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14+18.79 EUR
15+15.95 EUR
17+13.3 EUR
50+12.16 EUR
100+11.01 EUR
250+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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