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IMDQ65R010M2HXUMA1

IMDQ65R010M2HXUMA1 INFINEON

Infineon-IMDQ65R010M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934daa3f053a3b
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IMDQ65R010M2HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 154A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 651W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IMDQ65R010M2HXUMA1 nach Preis ab 27.61 EUR bis 52.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMDQ65R010M2HXUMA1 IMDQ65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMDQ65R010M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934daa3f053a3b Description: IMDQ65R010M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 651W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4002 pF @ 400 V
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.36 EUR
10+35.44 EUR
25+33.21 EUR
100+30.76 EUR
250+29.6 EUR
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IMDQ65R010M2HXUMA1 IMDQ65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon_IMDQ65R010M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.08 EUR
10+36.08 EUR
100+31.2 EUR
500+29.54 EUR
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IMDQ65R010M2HXUMA1 IMDQ65R010M2HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ65R010M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934daa3f053a3b Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 154A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.46 EUR
6+42.53 EUR
10+33.57 EUR
50+31.32 EUR
100+29.05 EUR
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IMDQ65R010M2HXUMA1 Infineon-IMDQ65R010M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934daa3f053a3b
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IMDQ65R010M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 651W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4002 pF @ 400 V
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SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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