IMDQ65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 31.19 EUR |
| 10+ | 26.61 EUR |
| 100+ | 23.02 EUR |
| 750+ | 22.99 EUR |
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Technische Details IMDQ65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 154A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 651W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IMDQ65R010M2HXUMA1 nach Preis ab 24.87 EUR bis 37.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IMDQ65R010M2HXUMA1 | Infineon Technologies |
 Description: IMDQ65R010M2HXUMA1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Power Dissipation (Max): 651W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4002 pF @ 400 V |
auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMDQ65R010M2HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 651W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IMDQ65R010M2HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 651W Anzahl der Pins: 22Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IMDQ65R010M2HXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IMDQ65R010M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 651W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4002 pF @ 400 V
Description: IMDQ65R010M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 651W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4002 pF @ 400 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 37.28 EUR |
| 10+ | 29.78 EUR |
| 25+ | 27.91 EUR |
| 100+ | 25.85 EUR |
| 250+ | 24.87 EUR |
| IMDQ65R010M2HXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMDQ65R010M2HXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Verlustleistung: 651W
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Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)