IMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 30.32 EUR |
| 10+ | 24.3 EUR |
| 100+ | 21.03 EUR |
| 500+ | 21 EUR |
| 750+ | 20.99 EUR |
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Technische Details IMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 394W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Weitere Produktangebote IMDQ75R016M2HXTMA1 nach Preis ab 19.94 EUR bis 37.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IMDQ75R016M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 394W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMDQ75R016M2HXTMA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 37.69 EUR |
| 8+ | 29.92 EUR |
| 10+ | 22.9 EUR |
| 50+ | 21.63 EUR |
| 100+ | 20.35 EUR |
| 250+ | 19.94 EUR |