IMDQ75R027M1HXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IMDQ75R027M1HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details IMDQ75R027M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMDQ75R027M1HXUMA1 nach Preis ab 13.57 EUR bis 28.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IMDQ75R027M1HXUMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMDQ75R027M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMDQ75R027M1HXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 25.26 EUR |
| 10+ | 17.72 EUR |
| 100+ | 14.52 EUR |
| 500+ | 14.22 EUR |
| 750+ | 13.57 EUR |
| IMDQ75R027M1HXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 28.71 EUR |
| 10+ | 23.76 EUR |
| 12+ | 19.25 EUR |
| 50+ | 18.23 EUR |
| 100+ | 17.18 EUR |
| 250+ | 16.84 EUR |