IMH1AT110 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.22 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details IMH1AT110 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - IMH1AT110 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Produktpalette: IMH1A Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IMH1AT110 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IMH1AT110 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 30MA |
auf Bestellung 5978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMH1AT110 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMH1AT110 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - IMH1AT110 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-457 Produktpalette: IMH1A Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMH1AT110 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMH1AT110 |
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auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IMH1A T110 | Hersteller : ROHM | SOT26/SOT363 |
auf Bestellung 4874 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IMH1AT110 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC74; SOT457 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
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