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IMT40R015M2HXTMA1

Infineon-IMT40R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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29+5.75 EUR
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IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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28+6.2 EUR
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IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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2000+13.68 EUR
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IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
50+16.95 EUR
100+15.26 EUR
250+14.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT40R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933 Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
auf Bestellung 1480 Stücke:
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1+25.16 EUR
10+17.59 EUR
50+14.39 EUR
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IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon_an_2021_02_thermal_measurement_for_d2pak_on_pcb_applicationnotes_en.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1+25.43 EUR
10+17.26 EUR
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IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
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9+31.06 EUR
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
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IMT40R015M2HXTMA1 infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IMT40R015M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IMT40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
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IMT40R015M2HXTMA1
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Description: SIC-MOS
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
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SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
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hazardous: false
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