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IMT40R045M2HXTMA1

IMT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMT40R045M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c55f844d57
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
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Technische Details IMT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm.

Weitere Produktangebote IMT40R045M2HXTMA1 nach Preis ab 4.07 EUR bis 16.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r045m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1920 Stücke:
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31+5.41 EUR
32+5.13 EUR
100+4.86 EUR
250+4.58 EUR
500+4.32 EUR
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IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r045m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r045m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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2000+6.56 EUR
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IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT40R045M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c55f844d57 Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
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50+6.9 EUR
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IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT40R045M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c55f844d57 SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384418.pdf Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
23+10.16 EUR
100+7.52 EUR
500+6.7 EUR
1000+6.34 EUR
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IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384418.pdf Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
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IMT40R045M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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100+4.86 EUR
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auf Bestellung 1920 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
31+5.53 EUR
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500+4.81 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
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AnzahlPrivatkunde
2+12.9 EUR
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100+6.32 EUR
500+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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10+6.94 EUR
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IMT40R045M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 1820 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
16+16.34 EUR
23+10.16 EUR
100+7.52 EUR
500+6.7 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
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Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+7.52 EUR
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