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IMT65R040M2HXUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IMT65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Technische Details IMT65R040M2HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMT65R040M2HXUMA1 IMT65R040M2HXUMA1 INFINEON 4503011.pdf Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 920 Stücke:
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13+19.61 EUR
16+15.22 EUR
20+11.27 EUR
50+10.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IMT65R040M2HXUMA1 IMT65R040M2HXUMA1 INFINEON 4503011.pdf Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
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IMT65R040M2HXUMA1 4503011.pdf
Hersteller: INFINEON
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Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
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