IMTA65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.55 EUR |
| 10+ | 14.08 EUR |
| 100+ | 12.1 EUR |
| 500+ | 11.33 EUR |
| 1000+ | 10.6 EUR |
| 2000+ | 10.53 EUR |
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Technische Details IMTA65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LHSOF, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Weitere Produktangebote IMTA65R026M2HXTMA1 nach Preis ab 13.6 EUR bis 23.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IMTA65R026M2HXTMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOFtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 357W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LHSOF Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMTA65R026M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMTA65R026M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
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Produktpalette: CoolSiC G2 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 23.81 EUR |
| 13+ | 19.1 EUR |
| 15+ | 14.84 EUR |
| 50+ | 13.6 EUR |
| IMTA65R026M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
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auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 23.81 EUR |
| 13+ | 19.1 EUR |
| 15+ | 14.84 EUR |
| 50+ | 13.6 EUR |