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IMTA65R040M2HXTMA1

IMTA65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMTA65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e9269c08c3
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IMTA65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 242W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LHSOF, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e9269c08c3 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
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IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMTA65R040M2H_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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500+8.43 EUR
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IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265861.pdf Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2090 Stücke:
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15+17.7 EUR
18+13.44 EUR
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IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265861.pdf Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
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15+17.7 EUR
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