Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IMTA65R040M2HXTMA1
IMTA65R040M2HXTMA1

IMTA65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies


Infineon_IMTA65R040M2H_DataSheet_v02_01_EN-3454227.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 353 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.40 EUR
10+12.88 EUR
25+11.32 EUR
100+10.40 EUR
250+9.87 EUR
2000+8.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IMTA65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: LHSOF, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IMTA65R040M2HXTMA1 nach Preis ab 9.91 EUR bis 15.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMTA65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e9269c08c3 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.89 EUR
10+11.83 EUR
100+9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IMTA65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e9269c08c3 Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMTA65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e9269c08c3 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH