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IMTA65R060M2HXTMA1

Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839
Produktcode: 222120
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMTA65R060M2H_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+8.65 EUR
100+6.95 EUR
500+6.18 EUR
1000+5.46 EUR
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IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.96 EUR
10+8.72 EUR
100+6.33 EUR
500+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 INFINEON 4265863.pdf Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 37A
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.07 EUR
28+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimta65r060m2hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
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IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimta65r060m2hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 INFINEON 4265863.pdf Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839
IMTA65R060M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IMTA65R060M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
1+12.92 EUR
10+8.65 EUR
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IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839
IMTA65R060M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2055 Stücke:
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2+12.96 EUR
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IMTA65R060M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
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Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IMTA65R060M2HXTMA1 4265863.pdf
IMTA65R060M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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