IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 36.84 EUR |
| 10+ | 31.42 EUR |
| 100+ | 27.17 EUR |
| 480+ | 27.14 EUR |
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Technische Details IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMW120R020M1HXKSA1 nach Preis ab 22.3 EUR bis 42.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +20V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMW120R020M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW120R020M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 41.58 EUR |
| 30+ | 26.26 EUR |
| 120+ | 22.91 EUR |
| 510+ | 22.3 EUR |
| IMW120R020M1HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 42.14 EUR |
| 10+ | 35.82 EUR |
| 50+ | 33.39 EUR |
| 100+ | 30.95 EUR |
| 250+ | 30.33 EUR |