IMW65R048M1H Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 29.13 EUR |
| 10+ | 27.85 EUR |
| 20+ | 26.5 EUR |
| 50+ | 25.3 EUR |
| 100+ | 24.4 EUR |
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Technische Details IMW65R048M1H Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247; automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 40A, Case: TO247, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 33nC, Application: automotive industry.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IMW65R048M1H | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Case: TO247 Kind of channel: enhancement Gate charge: 33nC Application: automotive industry |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IMW65R048M1H |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Application: automotive industry
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