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IMZ1AT108

IMZ1AT108 Rohm Semiconductor

umz1ntr-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
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Technische Details IMZ1AT108 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : Rohm Semiconductor umz1ntr-e.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1422 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 712
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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : Rohm Semiconductor umz1ntr-e.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457
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100+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD05EC795786469&compId=IMZ1AT108.pdf?ci_sign=94458d506022c8553fca4694feffb90024e97e22 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
103+0.7 EUR
113+0.64 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD05EC795786469&compId=IMZ1AT108.pdf?ci_sign=94458d506022c8553fca4694feffb90024e97e22 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
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103+0.7 EUR
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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=IMZ1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
auf Bestellung 19147 Stücke:
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21+0.84 EUR
34+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : Rohm Semiconductor umz1ntr-e.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1905 Stücke:
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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : ROHM umz1ntr-e.pdf Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1737 Stücke:
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IMZ1AT108 IMZ1AT108 Hersteller : Rohm Semiconductor umz1ntr-e.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1905 Stücke:
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IMZ1A T108 Hersteller : ROHM SO163-Z1
auf Bestellung 2629 Stücke:
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IMZ1A T108 Hersteller : ROHM SOT23-
auf Bestellung 2953 Stücke:
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IMZ1A T108 Hersteller : ROHM SOT26
auf Bestellung 5486 Stücke:
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IMZ1 A T108 Hersteller : ROHM SOT26/SOT363
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IMZ1A T108 Hersteller : ROHM SOT26/SOT363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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