IMZA40R015M2HXKSA1 Infineon Technologies
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| 1+ | 28.38 EUR |
| 10+ | 16.04 EUR |
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Technische Details IMZA40R015M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 99 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 273W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm.
Weitere Produktangebote IMZA40R015M2HXKSA1 nach Preis ab 16.76 EUR bis 28.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IMZA40R015M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 99 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 273W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMZA40R015M2HXKSA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 99 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247
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Produktpalette: CoolSiC G2 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
Description: INFINEON - IMZA40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 99 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247
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Produktpalette: CoolSiC G2 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 28.83 EUR |
| 10+ | 24.3 EUR |
| 11+ | 20.11 EUR |
| 50+ | 18.44 EUR |
| 100+ | 16.76 EUR |



