IMZA65R048M1H Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 28.62 EUR |
| 10+ | 27.14 EUR |
| 20+ | 25.82 EUR |
| 50+ | 24.82 EUR |
| 100+ | 23.93 EUR |
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Technische Details IMZA65R048M1H Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 40A, Case: TO247, On-state resistance: 64mΩ, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 33nC.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IMZA65R048M1H | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Case: TO247 On-state resistance: 64mΩ Kind of channel: enhancement Gate charge: 33nC |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IMZA65R048M1H |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
On-state resistance: 64mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
On-state resistance: 64mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
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