IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.41 EUR |
| 30+ | 13.41 EUR |
| 60+ | 12.33 EUR |
| 120+ | 11.44 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 218W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Weitere Produktangebote IMZC120R040M2HXKSA1 nach Preis ab 10.21 EUR bis 30.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZC120R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 |
auf Bestellung 1752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IMZC120R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IMZC120R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IMZC120R040M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 218W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
| IMZC120R040M2HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 48A; 218W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A Power dissipation: 218W Case: TO247-4 On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IMZC120R040M2HXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.41 EUR |
| 10+ | 16.21 EUR |
| 100+ | 13.51 EUR |
| 480+ | 12.02 EUR |
| 1200+ | 11.25 EUR |
| IMZC120R040M2HXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 22.48 EUR |
| 30+ | 13.23 EUR |
| 60+ | 11.9 EUR |
| 120+ | 10.78 EUR |
| IMZC120R040M2HXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 22.48 EUR |
| 30+ | 12.94 EUR |
| 60+ | 11.46 EUR |
| 120+ | 10.21 EUR |
| IMZC120R040M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 218W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 218W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 30.29 EUR |
| 11+ | 21.98 EUR |
| 15+ | 14.61 EUR |
| 50+ | 14.08 EUR |
| 100+ | 13.54 EUR |
| IMZC120R040M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 48A; 218W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Power dissipation: 218W
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 48A; 218W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Power dissipation: 218W
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)