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IPA030N10NF2SXKSA1


Infineon_IPA030N10NF2S_DataSheet_v02_00_EN-2329027.pdf
Produktcode: 183514
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 100 V
Idd,A: 83 A
Rds(on), Ohm: 3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7300/103
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPA030N10NF2SXKSA1 IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165 Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
50+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPA030N10NF2SXKSA1 IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.3 EUR
10+3.77 EUR
100+3.52 EUR
500+2.76 EUR
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IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
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IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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