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IPA040N06NXKSA1

IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies

129ds_ipa040n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69 A, 0.004 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 129ds_ipa040n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies DS_IPA040N06N_2_1.pdf?fileId=5546d46146d18cb40146f637013454ad Description: MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
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IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies DS_IPA040N06N_2_1-1622357.pdf MOSFETs MV POWER MOS
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IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 Hersteller : INFINEON 4180966.pdf Description: INFINEON - IPA040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69 A, 0.004 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
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