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Technische Details IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0047 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPA050N10NM5SXKSA1 nach Preis ab 2.01 EUR bis 5.46 EUR
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IPA050N10NM5SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V |
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IPA050N10NM5SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0047 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IPA050N10NM5SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
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IPA050N10NM5SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA050N10NM5SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA050N10NM5SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA050N10NM5SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA050N10NM5SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 264A Technology: OptiMOS™ 3 |
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