IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP, Case: TO220FP, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 60A, On-state resistance: 5.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 39W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IPA057N08N3GXKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPA057N08N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA057N08N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA057N08N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
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