IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 3.53 EUR |
| 29+ | 3.03 EUR |
| 50+ | 1.98 EUR |
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Technische Details IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 60, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 39, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, Verlustleistung: 39, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS 3, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IPA057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA057N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)