IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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Technische Details IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 60A, Power dissipation: 39W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5.7mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 3.
Weitere Produktangebote IPA057N08N3GXKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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IPA057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA057N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)