IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 60, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 39, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, Verlustleistung: 39, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS 3, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).