IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA060N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm.
Weitere Produktangebote IPA060N06NXKSA1 nach Preis ab 1.36 EUR bis 3.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPA060N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA060N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MV POWER MOS |
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IPA060N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V |
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IPA060N06NXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA060N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm |
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IPA060N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA060N06NXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA060N06NXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 45A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA060N06NXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 45A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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