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IPA075N15N3GXKSA1

IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPA075N15N3G-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 46 Stücke:
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Technische Details IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPA075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA075N15N3_G_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+5.34 EUR
100+4.86 EUR
500+4.44 EUR
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IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 75 V
auf Bestellung 443 Stücke:
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3+10.36 EUR
10+6.89 EUR
50+5.4 EUR
100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3GXKSA1 Infineon info-tipa075n15n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA075N15N3GXKSA1 TIPA075n15n3g
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON INFNS15789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.9 EUR
33+7.18 EUR
100+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Trans MOSFET N-CH 150V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 375 Stücke:
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14+12.59 EUR
16+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPA075N15N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3
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IPA075N15N3GXKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPA075N15N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 75 V
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IPA075N15N3GXKSA1
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 150V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA075N15N3GXKSA1 TIPA075n15n3g
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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IPA075N15N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 448 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
17+14.9 EUR
33+7.18 EUR
100+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPA075N15N3GXKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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